楊吟野，1969年9月生，九三學社社員、博士、教授、碩士生導師、貴州民族大學研究生院副院長。
學歷：
1987年9月-1991年7月：哈爾濱工業大學應用物理系應用物理專業，獲學士學位；
2005年9月-2009年7月：貴州大學微電子學與固體電子學專業，獲博士學位。
工作經歷：
1991年7月-1994年12月：新天精密光學儀器廠，施工員；
1994年12月至今：貴州民族大學，教師。
期間：
2000年3月-2001年1月：清華大學膜生物物理國家重點實驗室，訪問學者；
2012年3月-2013年7月：華南理工大學研究生院，院長助理（掛職）；
2013年9月-2014年10月：六盤水市教育局，副局長（掛職）。
近五年主持的科研項目：
1.貴陽市科學技術基金《Ca-Si化合物中直接遷移型環境半導體材料的制備（筑科合同[2011205]5-12號》；
2.貴州省科學技術聯合基金《Si基上直接制備直接遷移型Ca2Si或Ca5Si3膜的工藝研究（黔科合J字LKM[2011]30號）》；
3.貴州省優秀科技教育人才省長專項資金《環境半導體材料Ca5Si3膜的制備及長時間退火對高揮性元素Ca形成Ca5Si3的影響（黔省專合字[2011]74號）》；
4.教育部科學技術研究重點項目《Si基上直接制備直接遷移型Ca2Si或Ca5Si3膜的工藝研究（210200）》。
近五年以通訊作者發表的文章：
1. The effect of (110) strain on the Energy band structure and Optical properties of the simple orthorhombic Ca2P0.25Si0.75bulk [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2014, 629: 284-289.（SCI收錄）
2. P摻雜正交相Ca2Si能帶結構及光學性質的第一性原理計算[J].光子學報, 2014, 43(8): 0816003(1-5).（EI收錄）
3. Ca2PxSi1-x能帶結構及光學性質的第一性原理計算[J].固體電子學研究與進展, 2014, 34(03): 249-255.（中文核心期刊）
4. (100)應變對立方相Ca2P0.25Si0.75能帶結構及光學性質的影響[J].激光與光電子學進展, 2014, 51(09): 091603(1-7).（中文核心期刊）
5. (100)應變對立方相Ca2P0.25Si0.75能帶結構及光學性質的影響[J].半導體技術, 2014, 39(09): 707-713.（中文核心期刊）
6. (100)應變對正交相Ca2P0.25Si0.75能帶結構及光學性質的影響[J].信息記錄材料, 2014, 15(03): 30-36.（中文核心期刊）
7. Selective Growth of Ca2Si Film in Ca-Si System by R.F MS by Annealing. IEEE-3M-NANO, 2012（9）：75-79(SCI收錄)
8. Ca2Si Crystal Grown Selectively by the Low Temperature Annealing, Applied Mechanics and Materials, 2011（27）：2583(EI收錄)
9. (111)應變對正交相Ca2P0.25Si0.75能帶結構及光學性質影響的理論研究[J]，分子科學學報，2015，Vol.31N：101-107
近五年申報的專利有：
1.一種硅化鈣制備加熱系統的數字開環式溫度補償裝置（實用新型專利號：ZL201220516282.7），第一申請人；
2.一種硅化鈣制備加熱系統的模擬閉環式溫度補償裝置（實用新型專利號：ZL201220516320.9），第一申請人；
3.一種對稱單變換型射頻功率放大器（實用新型專利號：ZL 201220458867.8），第二申請人；
4.一種集成對稱型射頻功率放大器（實用新型專利號：ZL 201220458870.X），第二申請人。
